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    甘肃十一选五下载: IGBT???

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    源头工厂
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    • 型号/规格:

      L6574D013TR

    • 品牌/商标:

      ST(意法半导体)

    • 环保类别:

      普通型

    • 封装:

      SOP-16

    • 型号/规格:

      FF200R12KS4

    • 品牌/商标:

      infineon

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 电压:

      1200

    • 电流:

      150

    • 封装外形:

      平板形

    • 型号/规格:

      SKIIP38AC126V2

    • 品牌/商标:

      SEMIKRON(西门康)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 封装:

      IGBT???/p>

    • 功率特性:

      大功率

    • 应用范围:

      放大

    • 极性:

      NPN型

    • 型号/规格:

      6sy7000-0AD50

    • 品牌/商标:

      西门子

    • 环保类别:

      普通型

    • 型号/规格:

      SKM200GB173DH6

    • 品牌/商标:

      SEMIKRON(西门康)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 订货量:

      5只起订

    • 型号/规格:

      96843LPAB_090901-R6

    • 品牌/商标:

      中兴

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 型号/规格:

      AP85GT33SW

    • 品牌/商标:

      AP/富鼎

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 型号/规格:

      KGF75N60KDB-U/P

    • 品牌/商标:

      KEC

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 包装方式:

      管带包装

    • 封装:

      TO-247

    • 型号/规格:

      IRGB15B60KD

    • 品牌/商标:

      IR

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 电流:

      15A

    • 电压:

      600V

    • 型号:

      GB15B60KD

    • 厂家:

      IR

    • 型号/规格:

      MG50Q6ES40

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA(东芝)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 数量:

      220

    • 型号/规格:

      IGW100N60H3

    • 品牌/商标:

      INFINEON(英飞凌)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 封装:

      TO-247-3

    • 批次:

      1825+

    • 数量:

      30000

    • 型号/规格:

      PRIME2

    • 品牌/商标:

      INFINEON(英飞凌)

    • 环保类别:

      普通型

    • 单位重量:

      825 g

    • 宽度:

      89 mm

    • 型号/规格:

      DD200KB160

    • 品牌/商标:

      SanRex(三社)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 型号/规格:

      FF300R12KT4

    • 品牌/商标:

      INFINEON(英飞凌)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 规格参数:

      300A 1200V

    • 型号/规格:

      FF50R12RT4HOSA1

    • 品牌/商标:

      ROHM(罗姆)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 电压 - 集射极击穿(最大值):

      1200V

    • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

      50A

    • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

      2.15V @ 15V,50A

    • 电流 - 集电极截止(最大值):

      1mA

    • 型号/规格:

      CM400DY-24A

    • 品牌/商标:

      MITSUBISHI(三菱)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 批次:

      18+

    • 封装:

      MODULE

    • 型号/规格:

      6单元50A600V

    • 品牌/商标:

      三菱

    • 环保类别:

      普通型

    • 型号/规格:

      FP40R12KE3

    • 品牌/商标:

      INFINEON(英飞凌)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 封装:

      MODULE

    • 年份:

      新年份

    • 价格:

      面议

    • 型号/规格:

      SKM400GA12T4

    • 品牌/商标:

      SEMIKRON(西门康)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 型号/规格:

      2SC5242-O

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA(东芝)

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 批号:

      18+

    • 数量:

      12500

    IGBT??樾幸底恃?/h2>

    • IGBT???/span>

      贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK IGBT???。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) ??槭粲谧ㄎひ涤τ枚⒌男滦退芰系缭茨?橄盗?,可为3 kW – 30 kW的工业和电源管理解决方案提供高成本效益、高集成度的功率转换功能。这些稳健的模...

    • Littelfuse的新型半桥IGBT???/span>将额定电流提升至600A,确保灵活、高效、可靠的电源转换

      Littelfuse,Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出IGBT??楣β拾氲继宀纷楹系淖钚虏废盗小狹G12600WB-BR2MM。相比该产品组合之前产品的最高额定电流(450A),新型半桥IGBT??橄盗校?200V,600A)可

    • IGBT???/span>的直流支撑电容器

      TDK集团推出新型爱普科斯(EPCOS)直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司(InfineonTechnologies)HybridPACK?1-DC6IGBT??槎杓?,采用多触点结构,具备尺寸大小与IGBT??榫菲ヅ涞牧瞿赶叨俗?。其优异

    什么是IGBT???

    •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
    • IGBT???  onload=

    IGBT??榧际踝柿?/h2>

    • IGBT???/span>封装流程原理图

      IGBT??榉庾笆墙喔鯥GBT集成封装在一起,以提高IGBT??榈氖褂檬倜涂煽啃?,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT??榈男枨笄魇?,这就有待于IGBT??榉庾凹际醯目⒑驮擞?。目前流行的IGBT??榉庾靶问接幸咝?、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的??榉庾凹际跤泻芏?,各生产商...

    • IGBT???/span>特点介绍

      如今节能的重要性日益显着,将IGBT??橛米骺仄骷挠τ昧煊蛞膊欢贤卣?。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT??榈男枨笠菜嬷欢吓噬?。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT??樯杓?。就是说,我们要专门为这些电...

    • IGBT???/span>使用中的注意事项

      由于IGBT??槲狹OSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用??槭?,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸??槎俗邮?,要先...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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